Инженер по силовым приборам MOSFET, SBD, JFET, IGBT

Участие в проектировании и разработке конструкций силовых полупроводниковых приборов MOSFET, SBD, JFET, IGBT.

Анализ результатов измерений параметров приборов и оптимизация их характеристик.

Подготовка и согласование конструкторской документации (КД, ТЗ, ТТ).

Участие в моделировании полупроводниковых приборов в системах автоматического проектирования (САПР).

Разработка технических заданий на изготовление фотошаблонов и контроль их выполнения.

Подготовка программ и методик измерений и испытаний полупроводниковых приборов.

Участие в создании научно-технических отчетов, патентов и других результатов интеллектуальной деятельности.

Взаимодействие с подразделениями компании и внешними партнерами для реализации проектов.

Высшее образование в области микроэлектроники, электроники или смежных направлений.

Опыт работы в проектировании полупроводниковых приборов от 3 лет.

Глубокие знания физических основ работы и конструкций полупроводниковых приборов.

Опыт моделирования в САПР (например, TCAD, Silvaco, Sentaurus).

Знание стандартов оформления конструкторской документации.