Вакансия Инженер по силовым приборам MOSFET, SBD, JFET, IGBT в городе Зеленоград

Описание вакансии

Обязанности:

Участие в проектировании и разработке конструкций силовых полупроводниковых приборов MOSFET, SBD, JFET, IGBT.
Анализ результатов измерений параметров приборов и оптимизация их характеристик.
Подготовка и согласование конструкторской документации (КД, ТЗ, ТТ).
Участие в моделировании полупроводниковых приборов в системах автоматического проектирования (САПР).
Разработка технических заданий на изготовление фотошаблонов и контроль их выполнения.
Подготовка программ и методик измерений и испытаний полупроводниковых приборов.
Участие в создании научно-технических отчетов, патентов и других результатов интеллектуальной деятельности.
Взаимодействие с подразделениями компании и внешними партнерами для реализации проектов.

Требования:

Высшее образование в области микроэлектроники, электроники или смежных направлений.
Опыт работы в проектировании полупроводниковых приборов от 3 лет.
Глубокие знания физических основ работы и конструкций полупроводниковых приборов.
Опыт моделирования в САПР (например, TCAD, Silvaco, Sentaurus).

Знание стандартов оформления конструкторской документации.

Условия:

Возможность участия в высокотехнологичных проектах, связанных с разработкой и производством мощных высоковольтных полупроводниковых приборов.
Стабильную заработную плату и социальный пакет (ДМС, корпоративное обучение, программы развития).
Современное оборудование и комфортные условия труда.
Возможность профессионального роста и развития в инновационной среде.

Посмотреть контакты работодателя