Участие в разработке, сборке, испытаниях, приемке, сдаче оборудования и технологических процессов эпитаксии Si, SiGe, GaN по ТЗ заказчика;
Создание принципиальных схем на разрабатываемое оборудование, оформление заявок на закупку, выбранных покупных изделий, в 1С;
Изучение современных технологий эпитаксии Si, SiGe и GaN, участие в разработке ТЗ на создание таких установок;
Разработка Технологической Документации на эпитаксиальные и другие процессы;
Дополнительно: участие в испытаниях, приемке, сдаче оборудования CVD, MOCVD, ПХО (PECVD, SACVD), ПХТ, PVD;
Оформление документации по ГОСТ: ТЗ, ТТ, РЭ, РО, ТО, ТУ, ФО, ВЭ, акты, протоколы, программы и методики испытаний;
Отладка и запуск оборудования, наладка технологических процессов, проведение испытаний (предварительных, приемочных);
Создание ТЗ на разработку отдельных систем и узлов оборудования, контроль исполнения, тестирование, внедрение в оборудование и технологические процессы;
Изучение отечественной и иностранной литературы по теме, написание обзоров литературы, участие в лекциях, конференциях, выставках.
Требования:
Высшее профильное образование (электроника, микроэлектроника, наноэлектроника, физика полупроводников, оптоэлектроника и т.д);
Опыт работы 5 лет на оборудовании и разработки процессов эпитаксии;
Опыт разработки эпитаксиальных процессов (Si);
Знание полупроводников A3B5 (III-N);
Знание инфраструктуры и процессов полупроводникового производства;
Базовые знания электротехники, микроэлектроники;
Работа с сосудами под давлением;
Знание правил безопасности и охраны труда при работе на эпитаксиальных установках;
Желательно:
Моделирование эпитаксиальных процессов полупроводников Si, A3B5 (III-N);
Опыт разработки эпитаксиальных процессов SiGe, GaN;
Работа на оборудовании PVD, CVD, PECVD, ICPECVD, ALD и др и отладка техпроцессов;
Английский язык, чтение научных статей, перевод
Условия:
Оформление согласно ТК РФ
ДМС
Частичная компенсация аренды жилья для иногородних сотрудников